规格
产品属性属性值选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 101 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 93.75 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD5802N
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 值: 16.8 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 52 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg 规格
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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 101 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 93.75 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD5802N
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 值: 16.8 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 52 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
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REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 101 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 93.75 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD5802N
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8.5 ns
正向跨导 - 值: 16.8 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 52 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg
场效应管场效应管场效应管场效应管
