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EEPROM,或写作E2PROM,全称电可擦除可编程只读存储器 (英语:Electrically-Erasable Programmable
Read-Only Memory),是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比EPROM,EEPROM不需要用紫外线照射,也不需取下,就可以用特定的电压,来抹除芯片上的信息,以便写入新的数据。EEPROM有四种工作模式:读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时,芯片只需要Vcc低电压(一般+5V)供电。编程写入时,芯片通过Vpp(一般+25V, 较新者可能使用
12V 或 5V)获得编程电压,并通过PGM编程脉冲(一般50ms)写入数据。擦除时,只需使用Vpp高电压,不需要紫外线,便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确,在每写入一块数据后,都需要进行类似于读取的校验步骤,若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压,且写入时间也已有缩短。
Microchip Technology
AT24C256C
8-SOIC/8-UDFN(2x3)
+
存储器 IC
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