场效应管 AO4604 AOS 美国万代 电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4604 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4604 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4604
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
是否跨境出口货源:是
          














 



                                                                                                                                              



AO4604 AO4604  场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。


品牌

AOS

型号

AO4604

封装

SOP-8

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压(Vdss)

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

贴片SMD

应用领域

3C数码,网络通信等

是否跨境货源

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)