场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4404B AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4404B AOS 美国万代 电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4404B AOS 美国万代 电子元器件IC 品牌：AOS/美国万代 型号：AO4404B 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式：增强型 用途：UNI/一般用途 封装外形：SMD(SO)/表面封装 是否跨境出口货源：是

                  

 

                                                                                                                                              

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。