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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3706 AOS 美国万代 电子元器件IC

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认证： 无

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3706 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3706 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌：AOS/美国万代
型号：AP3706
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：UNI/一般用途
封装外形：SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源：是














 

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AP3706 AOS 美国万代 电子元器件IC品牌：AOS/美国万代型号：AP3706种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：UNI/一般用途封装外形：SMD(SO)/表面封装是否跨境出口货源：是

品牌

AOS

型号

AP3706

封装

SOP-8

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压（Vdss）

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

贴片SMD

应用领域

3C数码，网络通信等

是否跨境货源

是

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)