场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代 电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4403 AOS 美国万代 电子元器件IC 品牌：AOS/美国万代 型号：AO4403 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：电视机 封装外形：SMD(SO)/表面封装 材料：P-FET硅P沟道 是否跨境出口货源：是

           

 

        

场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管场效应管1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。