场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4832L AOS 美国万代 电子元器件IC 品牌：AOS/美国万代 型号：AO4832L 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：UNI/一般用途 封装外形：SMD(SO)/表面封装 是否跨境出口货源：是

        

 

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。