场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4840L AOS 美国万代电子元器件IC

采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

场效应管应用领域:

1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器

品牌

AOS

型号

AO4840L

封装

AO4840L

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压（Vdss）

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

贴片SMD

是否跨境货源

是

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4840L AOS 美国万代 电子元器件IC