场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4906L AOS 美国万代 电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4906L AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4906L AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4906L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源:是

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作用1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。

品牌

AOS

型号

AO4906L

封装

SOP-8

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压(Vdss)

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

贴片SMD

是否跨境货源

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)