电子元器件AO3400 AO3400A AO3401A AO3401A场效应管 N沟道MOSFET

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

金牌会员11年

全部产品 进入商铺

...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 








AO3401A-2

AO3401A-1

AO3400A-2

14-AO3400 AO3400A AO3401A AO34





使用优势VMOS场效应管场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。场效应管在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

品牌

AOS

型号

AO3400

封装

SOT23

批号

1812+

FET类型

N-Channel

漏源电压(Vdss)

30V

漏极电流(Id)

5.7A

漏源导通电阻(RDS On)

26.5 毫欧 @ 5.7A,10V

栅源电压(Vgs)

±12V

栅极电荷(Qg)

13nC @ 4.5V

反向恢复时间

8.5ns

耗散功率

1400mW

配置类型

标准

工作温度范围

-55+150°C

安装类型

表面贴装