AO4480场效应管

    AO4480场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷。 它是ESD保护的。 该器件适合用作SMPS和通用应用中的低端开关。

    AO4480场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4480

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC

    系列：-

    FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：40V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 毫欧 @ 14A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1920pF @ 20V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管与双极性晶体管的比较：

    场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。

    场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。

    场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。

    场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。