AOD4189场效应管

地区:广东 深圳
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    AOD4189场效应管参数:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):40V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):22 毫欧 @ 12A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):41nC @ 10V

    Vgs(最大值):±20V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1870pF @ 20V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):2.5W(Ta),62.5W(Tc)

    工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


    理解MOSFET的几个常用参数:

    VDS,即漏源电压,这是MOSFET的一个极限参数,表示MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压值。需要注意的是,这个参数是跟结温相关的,通常结温越高,该值最大。

    RDS(on),漏源导通电阻,它表示MOSFET在某一条件下导通时,漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温,驱动电压Vgs相关。在一定范围内,结温越高,Rds越大;驱动电压越高,Rds越小。

    Qg,栅极电荷,是在驱动信号作用下,栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是MOSFET从截止状态到完全导通状态,驱动电路所需提供的电荷,是一个用于评估MOSFET的驱动电路驱动能力的主要参数。

    Id,漏极电流,漏极电流通常有几种不同的描述方式。根据工作电流的形式有,连续漏级电流及一定脉宽的脉冲漏极电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOSFET的一个极限参数,但此最大电流值并不代表在运行过程中漏极电流能够达到这个值。它表示当壳温在某一值时,如果MOSFET工作电流为上述最大漏极电流,则结温会达到最大值。所以这个参数还跟器件封装,环境温度有关。

型号/规格

AOD4189

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装