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产品属性
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AOD403场效应管规格:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):120nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5300pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
功率MOSFET的结构和工作原理:
功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。
AOD403
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装