AOD403场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

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    AOD403场效应管规格:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):120nC @ 10V

    Vgs(最大值):±25V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5300pF @ 15V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc)

    工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


    功率MOSFET的结构和工作原理:

    功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。


型号/规格

AOD403

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装