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产品属性
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AO4612L场效应管规格:
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A (Ta), 3.2A (Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):56 毫欧 @ 4.5A, 10V, 105 毫欧 @ 3.2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):540pF @ 30V, 1120pF @ 30V
功率 - 最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
场效应三极管的型号命名方法:
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
AO4612L
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装