AO4612L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4612L场效应管规格:

    FET 类型:N 和 P 沟道

    FET 功能:标准

    漏源电压(Vdss):60V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):56 毫欧 @ 4.5A, 10V, 105 毫欧 @ 3.2A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):540pF @ 30V, 1120pF @ 30V

    功率 - 最大值:2W

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOIC


    场效应三极管的型号命名方法:

    现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

    第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

    


型号/规格

AO4612L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装