AO4441场效应管

地区:广东 深圳
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    AO4441场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和超低低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。


    AO4441场效应管参数:

    制造商零件编号:AO4441

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 4A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1120pF @ 30V

    功率 - 最大值:3.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOIC


    场效应管到底好在哪

    1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

    2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3.场效应管可以用作可变电阻。

    4.场效应管可以方便地用作恒流源。

    5.场效应管可以用作电子开关。

    6.场效应管在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高,可以减轻信号源负载,易于跟前级匹配。

型号/规格

AO4441

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装