AO4423场效应管

    AO4423场效应管采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低低栅极电荷，栅极额定值为25V。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。 *符合RoHS和无卤素标准。

    AO4423场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4423

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.2 毫欧 @ 15A，20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3033pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管应用领域：

    1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

    2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

    3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

    4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器