原装ON品牌FDT434P - 晶体管, MOSFET, P沟道

地区:广东 深圳
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FDT434P是一款-20V P沟道2.5V专门设计的PowerTrench®MOSFET专门用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。飞兆半导体最新的中压功率MOSFET是结合了小栅极电荷(QG),小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化电源开关,为AC / DC电源中的同步整流提供了快速切换。它采用屏蔽门结构,提供电荷平衡。通过利用这种先进技术,这些器件的FOM(品质因数(QGxRDS(ON)))比上一代低66%。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代额定电压更高的MOSFET - MOSFET所需电路,因为它可以将同步整流中不希望的电压尖峰降至。该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

100%雪崩测试

在同步整流中实现高效率

应用:电源管理,替代能源,电机驱动与控制


晶体管极性

P沟道

电流, Id 连续

6A

漏源电压, Vds

-20V

在电阻RDS(上)

0.04ohm

电压 @ Rds测量

-4.5V

阈值电压 Vgs

-600mV

功耗 Pd

3W

封装类型

SOT-223

针脚数

4引脚

工作温度值

150°C