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FDT434P是一款-20V P沟道2.5V专门设计的PowerTrench®MOSFET专门用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。飞兆半导体最新的中压功率MOSFET是结合了小栅极电荷(QG),小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化电源开关,为AC / DC电源中的同步整流提供了快速切换。它采用屏蔽门结构,提供电荷平衡。通过利用这种先进技术,这些器件的FOM(品质因数(QGxRDS(ON)))比上一代低66%。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或取代额定电压更高的MOSFET - MOSFET所需电路,因为它可以将同步整流中不希望的电压尖峰降至。该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
100%雪崩测试
在同步整流中实现高效率
应用:电源管理,替代能源,电机驱动与控制
P沟道
6A
-20V
0.04ohm
-4.5V
-600mV
3W
SOT-223
4引脚
150°C
原装ADI品牌AD8676BRZ运算放大器、双路
原装BROADCOM LIMITED品牌ACPL-332J-000E光电耦合器, SMD, IGBT驱动输出
原装MOLEX品牌存储器插槽
原装MAXIM INTEGRATED品牌MAX3283EAUT+T线性接收器RS422
原装TI品牌TPS5430DDA 降压可以调试
原装ANALOG DEVICES品牌ADM2582EBRWZ收发器
原装TI品牌LM431ACZ/NOPB电压基准
原装ON品牌FIN1002M5X - 驱动器, LVDS, 差分接收
原装ON品牌NC7SZ126M5X - 缓冲器,三态,同相
原装ON品牌NC7SZ02M5X - 或非门, 2输入