原装MULTICOMP品牌BSS84-7-F - 场效应管, MOSFET

MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS

场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

晶体管极性

P沟道

电流, Id 连续

-130mA

漏源电压, Vds

-50V

在电阻RDS（上）

1.2ohm

电压 @ Rds测量

-5V

阈值电压 Vgs

-1.7V

功耗 Pd

360mW

封装类型

SOT-23

针脚数

3引脚

工作温度值

150°C