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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。
N沟道
115mA
60V
1.2ohm
10V
2.1V
200mW
SOT-23
3引脚
150°C
原装BROADCOM LIMITED品牌HCNW2211-000E光耦合器,施密特触发器
原装TI品牌DCP020505U直流转换器
原装MULTICOMP品牌2N3906 - 单晶体管 双极, 高速开关
原装TI品牌SN74LVC1T45DBVR收发器
原装MOLEX品牌501912-2190连接器
AD品牌EVAL-ADT7320FBZ评估模块,ADT7320±0.25°C精准度16位数字SPI温度传感器
原装ST品牌STM8L051F3P6 微控制器
原装MAXIM INTEGRATED品牌MAX488CPA+线路接收器, RS422/RS485
原装TI品牌TL082IDR运算放大器
原装TI品牌LM5085MM直流/直流控制器