图文详情
产品属性
相关推荐
描述:
MMBT5551LT1G是一种NPN硅高压晶体管,专为需要独特的现场和控制变更要求而设计。 该晶体管具有PPAP能力和AEC-Q101认证。
规格参数:
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
160V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值
225mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
MMBT5551L
ON(安森美)
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
NPN型