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供应原装NXPESD保护芯片，小信号N沟道增强型场效应管（FET）2N7002CK.

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市义熙科技有限公司

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描述                    2N7002CK是使用沟槽MOSFET技术在小型表面贴装塑料封装中设计的N沟道增强型MOSEFT。适用于继电器驱动器，

高速线路驱动器，低负载开关和开关电路。


特性

    3KV的ESD保护级别

    逻辑电平兼容

    沟槽MOSEFT技术

    极快的切换速度

    复合AEC-Q101标准


参数和功能

   

漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 1.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度 150°C（TJ）

    


应用

    继电器驱动

    高速线驱动

    低端负载开关

     开关电路


型号

2N7002CK

品牌

NXP

封装

SOT-23

安装风格

贴片

包装方式

标准卷带

标准包装数量

3000