供应高频管 NXP BLF7G27L-75P 通讯微波射频管/功率放大器

产品种类:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

制造商:

NXP

RoHS:

√

晶体管极性:

N-Channel

Id-连续漏极电流:

18 A

Vds-漏源极击穿电压:

65 V

Rds On-漏源导通电阻:

290 mOhms

技术:

Si

增益:

17 dB

输出功率:

12 W

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-1121A

封装:

Tube

商标:

NXP Semiconductors

配置:

Dual

工作频率:

2.3 GHz to 2.7 GHz

类型:

RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:

13 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.8 V