S1226-18BQ 日本滨松硅光二极管 HAMAMATSU 硅光电池

适用于紫外线到可见光波段精密光度测定抑制近红外灵敏度
特性
- 高紫外灵敏度：QE＝75 % (λ=200 nm)
- 抑制近红外灵敏度
- 低暗电流

- 高可靠性

详细参数

感光面积	1.1 × 1.1 mm
象元数	1
封装	金属
封装类型	TO-18
制冷	非制冷
反偏电压（最大）	5 V
光谱响应范围	190 to 1000 nm
峰值波长	720 nm
灵敏度	0.36 A/W
暗电流	2 pA
上升时间（典型值）	0.15 μs
结电容	35 pF
测试条件	Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=720 nm，暗电流： VR=10 mV，结电容： VR=0 V f=10KHz

光谱响应

外形图（单位：mm）

品牌

日本滨松 HAMAMATSU

感光面积

1.1X1.1MM

范围

190 to 1000 nm

0.36A/W

供应S1226-18BQ 日本滨松 硅光二极管 HAMAMATSU 硅光电池