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光敏滨松硅光电池 S2386-18L S2386-18K

地区：广东 深圳
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光电光敏滨松硅光电池 S2386-18L S2386-18K


参数名称                          数值 
参数名称 封装                    TO-5 
Active Area                      2.4 x 2.4 mm 
光谱响应范围                     320 to1100 nm 
峰值波长                         960 nm 
Photo Sensitivity at peak        0.6 A/W 
Dark Current Max.                0.005 nA 
Rise Time                        1.8 us 
Terminal Capacitance             730 pF 
Shunt Resistance                 50 Gohm 
Note  
Measurement Condition Typ. Ta=25 deg. C, unless otherwise noted



日本滨松Hamamatsu光电二极管，硅光电池。光敏二极管，现大量提供如下型号金属封装硅光二极管。S1133，S1087，S1336-44BK，S3399，S2386-18L,S1337-66BR,S1337-1010BR,S2387-66R,S1223-01、S1226-44BK、S1226-8BK、S1226-8BQ、S1336-8BK、S1336-8BQ、S1722-02、S2386-44K、S2386-45K、s2386-5k、s2386-8k
S3072、S1722-02、S3399、S1227-66BR、S1227-1010BR产品应用于分光光度计、分析仪器、医疗仪器、数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域


光电光敏滨松硅光电池 S2386-18L S2386-18K

型号/规格

S2386-18L S2386-18K

品牌/商标

HAMAMATSU

封装

TO-5

Active Area

2.4 x 2.4 mm

光谱响应范围

320 to1100 nm

峰值波长

960 nm