硅光电池 S2386-5K S2386-45K S2386-18L

s2386-5k光电光敏滨松硅光电池Hamamatsu

参数名称数值

参数名称封装 TO-5

Active Area 2.4 x 2.4 mm

光谱响应范围 320 to1100 nm

峰值波长 960 nm

Photo Sensitivity at peak 0.6 A/W

Dark Current Max. 0.005 nA

Rise Time 1.8 us

Terminal Capacitance 730 pF

Shunt Resistance 50 Gohm

Note

Measurement Condition Typ. Ta=25 deg. C, unless otherwise noted

日本滨松Hamamatsu光电二极管，硅光电池。光敏二极管，现大量提供如下型号金属封装硅光二极管。S1133，S1087，S1336-44BK，S3399，S2386-18L,S1337-66BR,S1337-1010BR,S2387-66R,S1223-01、S1226-44BK、S1226-8BK、S1226-8BQ、S1336-8BK、S1336-8BQ、S1722-02、S2386-44K、S2386-45K、s2386-5k、s2386-8k

S3072、S1722-02、S3399、S1227-66BR、S1227-1010BR产品应用于分光光度计、分析仪器、医疗仪器、数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域

硅光电池 S2386-5K S2386-45K S2386-18L S2386-8k

型号/规格

S2386-5K/45K/18L

品牌/商标

YJJ

封装

TO-5

峰值波长

960 nm

Active Area

2.4 x 2.4 mm