类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单制造商Toshiba Semiconductor and Storage系列π-MOSVII包装 管件 零件状态在售FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）38nC @ 10VVgs（最大值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1800pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）550 毫欧 @ 6A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220SIS封装/外壳TO-220-3 整包
