原装128M DDR2内存颗粒K4T1G164QQ

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三星原装1G DDR2内存颗粒,容量128M BYTE,封装BGA84 BALL,产品适用于MID、掌上电脑、学习机、数码相机、数码相框、GPS等数码产品。

虞达电子长期供应:
三星DDR/DDR2:
DDR:K4H511638D-UCCC 32*16
DDR:K4H511638F-LCCC 32*16
DDR2:K4T51163QG-HCE(F)7    32*16
DDR2:K4T51163QG-HCE(F)6    32*16
DDR2:K4T1G164QE-HCE(F)7    64*16
DDR2:K4T1G164QE-HCE(F)6    64*16
DDR2:K4T1G164QQ-HCE(F)6    64*16
现代DDR/DDR2:
DDR:HY5DU281622FTP-5
DDR:HY5DU561622ETP-5      16*16
DDR:HY5DU561622F(E)TP-D43    16*16
DDR:HY5DU121622*P-D43 32*16
DDR:HY5DU121622DTP-D43 32*16
DDR: H5DU1262GTR-FBC       8*16
DDR: H5DU5162ETR-E3C       32*16
DDR2:HY5PS1G1631CFP-Y5     64*16
DDR2:H5PS1G63EFR-Y5    64*16
DDR2:H5PS5163FFR-Y5    32*16
虞达电子雷

类型

存储器

品牌/商标

Samsung/三星

型号/规格

K4T1G164QQ-HCE6

封装

FBGA84

批号

2010

产品性质

*

营销方式

现货

导电类型

双*型

处理信号

数模混合信号

集成程度

小规模

规格尺寸

7.5*9.5*1.1

工作温度

-40~85

静态功耗

0

制作工艺

半导体集成