F360035电容器

电容器,薄膜电容器,固态电容器,电容器介类技术资料(168元/全套)

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[7994-0097-0001] 晶界层半导体陶瓷电容器制造方法
[摘要] 本发明涉及电子元件技术领域，晶界层半导体陶瓷电容器按下列方法制成：①按照配方范围：0.95～1.05mol的srco₃，0.95～1.05mol的tio₂，0.001～0.01mol的nb₂o₅配制瓷料。②球磨成粉状，粒度＜1um。③在1150℃～1250℃温度下煅烧。④在上述煅烧后的粉料中添加0.001～0.01mol的mnco₃及按上述煅烧后的粉料的重量比为0.5～5wt％的助熔剂pbo、bi₂o₃、b₂o₃、cuo。⑤球磨成粉状，粒度＜1um。⑥在球磨后的瓷料中，混合与其重量比为18～23wt％的聚乙烯醇溶液，然后轧膜成型。⑦冲片。⑧排胶。⑨在1210℃～1260℃温度下，在0.05～0.75mol的h₂与0.95～0.25mol的n₂混合流动气体中进行还原烧结4小时，然后将温度降至950℃～1100℃，在普通大气中处理30～60分钟。⑩被银电*。本发明原料成本低，总体工艺简单，低温一次烧成，介电性能参数优良，更重要的是它适宜产业化生产。
[7994-0048-0002] 一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法
[摘要] 一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法，属于电子陶瓷材料的制备，*涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅－钛酸铅粉料颗粒过大，烧结温度过高，电*成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法，在较低的温度下，制备出了一种以铌镁酸铅为主的铌镁酸铅－钛酸铅(pmn－pt)纳米级*多层陶瓷电容器(mlcc)介电陶瓷粉料，粉料颗粒尺寸在10～30nm，2小时烧结成陶瓷的室温介电常数*12000～16000，介电损耗1～3％，电阻率≥10¹²ω.cm，击穿电压10～14kv/mm，容温变化率在－30℃至 85℃之间≤－56％， 22％。该方法设备简单，成本低廉，能满足mlcc*小型化的趋势。
[7994-0196-0003] 陶瓷粉末和层叠陶瓷电子部件
本发明提供一种含有陶瓷主成分粒子1、和附着在该主成分粒子表面上的添加物成分粒子2的陶瓷粉末。主成分粒子1的平均粒径取为1.5μm以下，添加物成分粒子2的平均粒径取为0.31μm以下。对于100重量陶瓷粉末，添加物成分粒子2的含有率为0.1～5重量％。通过*添加物成分粒子对主成分粒子的分散性、获得组成的均匀化，抑制了异相的发生。即使电介质层的厚度在3μm以下，仍能提供*缘破坏电压高、寿命长的层叠陶瓷电子*件用的陶瓷粉末，和层叠陶瓷电子*件。
[7994-0101-0004] 电容性元件及包括这种元件的电力设备
[摘要] 一种电容性物体，包括细长的层状结构(10?1，14，15，55，56，20，60，61，36，62)，其包括一组或多组由导电材料制的两个电*形成层(5，6，13，17)，所述两个层通过至少一个电*缘材料制的层(3，4，16)相互隔开。所述电容性物体被设计成缆线状的导体，所述细长的层状结构由保护外层(22)包围。本发明还涉及一种电容器和其它包括这种电容性物体的电力设备，以及这样的电力设备在高压*中的应用。
[7994-0161-0005] 陶瓷电子部件、浆涂方法及浆涂装置
[摘要] 一种具有陶瓷基体和端电*的陶瓷电容器。陶瓷基体大致是长方体形。端电*安置在陶瓷基体的纵向两端上，每个端电*被设置成覆盖上述陶瓷基体的纵向的一端面、在横向上的两面的一部分和在厚度方向上的两面的一部分。设陶瓷基体的长度为l1，上述端电*的在陶瓷基体横向两面中的*大长度分别为l3和l4时，满足0≤|l4-l3|/l1≤0.0227。在陶瓷基体横向两面中的一个面是利用辊涂法的浆料冲入侧，而另一面是利用辊涂法的浆料脱出侧。
[7994-0009-0006] 多层瓷介片状电容器
[摘要] 一种多层瓷介片状电容器，满足x7r性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量*间的变化*小，*缘电阻(ir)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在*种形式中，介电层包含作为主要组分batio₃并包含作为次要组分按特定比例的mgo、y₂o₃、bao与*中至少一种及sio₂。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的mno、v₂o₅与moo₃中至少一种。
[7994-0065-0007] 处理陶瓷电容器的方法
[摘要] 处理陶瓷电容器的方法包括由*直流电压源施加直流电压至陶瓷电容器的*步骤，以及由第二直流电压源施加直流电压的第二步骤，以在陶瓷电容器产生方向同*步骤中由施加直流电压所产生的*化方向相反的*化，从而减少留在的电荷陶瓷电容器中。
[7994-0193-0008] 陶瓷电子部件及其制造方法
[摘要] 一种陶瓷电子部件及其制造方法，具备介电常数低且*度的陶瓷烧结体并且能够在宽频率范围得到高阻*特性，其特征在于，使用调配陶瓷原料、粘合剂、球状或粉体状且对所述粘合剂具有粘接性的孔隙形成材料的调配陶瓷原料，形成具有在内部配置有电*的构造的压型体，通过烧成该压型体来形成含有35～80vol％孔隙的陶瓷烧结体后，在陶瓷烧结体的孔隙内填充树脂或玻璃。
[7994-0060-0009] 电容器粉末
[摘要] 本发明涉及一种包含铌阳*、氧化铌耗尽层、半导体阴*和电解质的电解电容器，其中氧化铌耗尽层包含至少一种选自铝、硅、钛、锆、钼、钨、钇和钽的金属。
[7994-0006-0010] 电解电容器和内装电解电容器的电路基板及其制造方法
[摘要] 本发明的电解电容器，在具有电容形成部分和电*引出部分的阳*用瓣膜金属箔表面上设有电介质氧化保护膜层，还依次设有固体电解质层，阴*用集电体。阳*用瓣膜金属体的电容形成部分和电*引出部分，在表面上具有粗面化层，而且，沿粗面化层的厚度方向进行压缩。而且，除了电*引出部分和阴*用集电体外的区域，用模子材料进行制模。电*引出部分和阴*用集电体的露出部分分别具有作为电*端子的功能。
[7994-0197-0011] 固体电解电容器及其制造方法
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