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晶振:指的是石英晶体谐振器(quartz crystal unit)和石英晶体振荡器(crystaloscillator)的统称。
无源晶振就是石英晶体谐振器[1]的别称,英文名(crystal),主要用在各种电子线路中起产生频率的作用.
无源晶振是有2个引脚的无*性元件,需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来
无源晶振分为直插式与贴片式
无源晶体——无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法。无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据电脑周边电子配件:
1、主板主要用到的:14.318MHZ、24576、25MHZ、27MHZ、32.768KHZ。
2、显示器主要用到的:8M/14.31818MHZ、12.000MHZ、24.000MHZ、28.224MHZ。
3、硬盘主要用到的:23.040MHz,28.224MHz。
4、光驱主要用到的:33.8688MHz,16.9344MHz,18.432MHz。
5、键盘主要用到的:6.000MHz。
6、鼠标主要用到的:6.000MHz,12.000MHz,24.000MHz,无线鼠标频率很多,读卡器等。
7、摄像头主要用到的:12.000MHz。
8、蓝牙主要用到的:16.000MHZ。
9、无线WIFI主要用到的:25.000MHz,2.5G/3G(40.000MHz,44.000MHz)网络传输。
10、ADSL主要用到的:12.288MHz,35.328MHz,50.000MHz,而且包括VOIP/储存/显示/图像处理/网络等
起振电路来决定的,同样的晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要*匹配外围电路(用于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。建议采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体
深圳扬兴科技有限公司创立于1986年7月,于2010年注册正式成立,是一家*的晶振供应商。扬兴科技通过ISO9001企业质量管理体系认证,拥有自有品牌YXC,产品通过*认证并*国内外;扬兴科技在分销EPSON,NDK,CITIZEN,TDK,MURATA ,TXC等知名品牌的同时,也是美国SITIME可编程晶振中国区一级代理商,MEMS晶振销量位列*第二。
公司拥有*的测试仪器和经验丰富的技术队伍,产品系列有:可编程有源晶振、石英晶体谐振器、普通振荡器、KHZ时钟晶振、TCXO温补晶振、滤波器、陶瓷谐振器等。扬兴产品广泛应用于钟表、安*、数码产品、车载数码、MID平板电脑、网络通讯、基站、光电技术等设备及各种頻率控制设备。
深圳扬兴科技有限公司的使命是为客户提供*佳频率解决方案,力争在2020年成为晶振行业的*。多年来,扬兴科技凭着“以信待客、以质取胜”的经营理念,秉承“*、用户*”的服务宗旨,追求*的市场服务意识和良好的企业信誉*了广大用户的*。
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⒈总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数*组合而引起的晶体振荡
器频率与给定标称频率的*大频差。
说明:总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳
定度和频率负载稳定度共同造成的*大频差。一般只在对短期频率稳定度关心,而对其他频
率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如:精密制导雷达。
⒉频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度
或带隐含基准温度的*大允许频偏。
fT=&plu*n;(fmax-fmin)/(fmax fmin)
fTref =&plu*n;MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|] fT:频率温度稳定度
(不带隐含基准温度)
fTref:频率温度稳定度(带隐含基准温度)
fmax:规定温度范围内测得的*高频率
fmin:规定温度范围内测得的频率
fref:规定基准温度测得的频率
说明:采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故
fTref指标的晶体振荡器售价较高。
⒊频率稳定预热时间:以晶体振荡器稳定输出频率为基准,从加电到输出频率小于规定
频率允差所需要的时间。
说明:在多数应用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些应用中晶体振荡器需要
频繁的开机和关机,这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使
用的*通讯电台,当要求频率温度稳定度≤&plu*n;0.3ppm(-45℃~85℃),采用OCXO作为本
振,频率稳定预热时间将不少于5分钟,而采用DTCXO*要十几秒钟)。
⒋频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关
系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的,可用规定时限后
的*大变化率(如&plu*n;10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内*大的总频率变化(如:
&plu*n;1ppm/(*年)和&plu*n;5ppm/(十年))来表示。
说明:TCXO的频率老化率为:&plu*n;0.2ppm~&plu*n;2ppm(*年)和&plu*n;1ppm~&plu*n;5ppm(十
年)(除*情况,TCXO很少采用每天频率老化率的指标,因为即使在实验室的条件下,温
度变化引起的频率变化也将大大*过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化,因此这个指标失
去了实际的意义)。OCXO的频率老化率为:&plu*n;0.5ppb~&plu*n;10ppb/天(加电72小时后),&plu*n;
30ppb~&plu*n;2ppm(*年),&plu*n;0.3ppm~&plu*n;3ppm(十年)。
⒌频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的
*小峰值改变量。
说明:基准电压为 2.5V,规定终点电压为 0.5V和 4.5V,压控晶体振荡器在
0.5V频率控制电压时频率改变量为-110ppm,在 4.5V频率控制电压时频率改变量为
130ppm,则VCXO电压控制频率压控范围表示为:≥&plu*n;100ppm(2.5V&plu*n;2V)。
⒍压控频率响应范围:当调制频率变化时,峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规
定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
说明:VCXO频率压控范围频率响应为0~10kHz。
⒎频率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量
度,它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
说明:典型的VCXO频率压控线性为:≤&plu*n;10%,≤&plu*n;20%。简单的VCXO频率压控线性计
算方法为(当频率压控*性为正*性时):
频率压控线性=&plu*n;((fmax-fmin)/ f0)×100%
fmax:VCXO在*大压控电压时的输出频率
fmin:VCXO在*小压控电压时的输出频率
f0:压控中心电压频率
⒏单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之
比。
0(MHz)
-20~+70℃(MHz)
0(kΩ)
0(MHz)
0(℃)
0(mW)
0(dB)
0(Ω)
22.1184(MHz)
晶振
是
20(pF)
0(kΩ)
XMSDH4SC 22.1184MHZ 5032
0(dB)
YXC