供应MOS ftd2017m(图)

地区:广东 深圳
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深圳市心诺微电子有限公司

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UnitDrain-to-Source VoltageVDSS20VGate-to-Source VoltageVGSS&plu*n;12VDrain Current (DC)ID6ADrain Current (Pulse)IDPPW£10ms, duty cycle£1@A

 

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品牌/商标

日本三洋

型号/规格

FTD2017

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道