XP1006-FA 8.5-11.0 GHz的砷化镓功率放大器

概述MIMIX宽带的三级8.5-11.0 GHz的砷化镓封装功率放大器具有大信号增益21.5分贝了40.5 dBm的饱和输出功率。该器件采用MIMIX宽带的0.5米砷化镓PHEMT器件的模型技术，并基于光门光刻，以确保高重复性和均匀性。该器件采用10引脚，高频率，法兰LCC封装。包装上有一条铜复合基体材料和层叠陶瓷基板。该装置很适合于雷达应用程序。8.5-11.0 GHz的砷化镓功率放大器法兰， 10针2007年8月 - 修订版21 - 8 - 07P1006-FA应用笔记[1]偏置 -该器件的偏置电压为Vd的（ 1,2,3） = 8.0V和4.0 A（引脚6,10 ） 。漏极电流由栅极偏置控制与V G = -0.6V （引脚1 ）的典型值。它建议使用有源偏置，以保持电流恒定的射频功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。推荐的上电顺序如下所述：1.适用-2.0 V至Vg2.将8.0 V至Vd的（ 1,2,3 ）3.调整Vg的达到额定漏极电流4.应用RF功率5.重新调整Vg的维持额定漏极电流。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。该pHEMT制的门被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。MTTF平均无故障时间是从单个装置的加速寿命的时间数据来计算，并假设的等温背板。XP1006 -FA ，平均无故障时间，射频输出功率的应用1.0E+061.0E+05平均无故障时间（单位：百万小时）1.0E+0430 ％的直流占空比100％的直流占空比50 ％的直流占空比1.0E+031.0E+021.0E+011.0E+001.0E-0120304010 ％的直流占空比5060708090背板温度（℃ ）100110120XP1006 -FA ，平均无故障时间不RF功率1.0E+051.0E+04平均无故障时间（单位：百万小时）1.0E+0330 ％的直流占空比100％的直流占空比50 ％的直流占空比1.0E+021.0E+011.0E+001.0E-011.0E-022030405060708010 ％的直流占空比90100110120背板温度（℃ ）