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产品属性
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型号:IXDN602SIATR
品牌:IXYS
封装:SOIC8
全新原装,公司现货销售
2安培双低侧超快MOSFET驱动器
描述
该IXDF602 / IXDI602 /
IXDN602双高速门
司机特别适合井用于驱动最新
IXYS MOSFET和IGBT
。每两个输出中的
可以提供和吸收的峰值电流2A时
产生的电压上升和小于10ns的下降时间。
各驱动器的输入是CMOS兼容,并且是
几乎不受闭锁。专有电路
消除交叉传导电流
“直通”低传播延迟和快速,
匹配的上升和下降时间,使IXD_602家庭
非常适合高频率和高功率应用。
该IXDN602被配置为双非反相
驱动程序,
IXDI602被配置为双反相
驱动程序和IXDF602有一个翻转,一个
非反相驱动器
栅极驱动器:MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
低压侧
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 35 V
0.8V,3V
2A,2A
非反相
7.5ns,6.5ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
8-SOIC(0.154