SPP11N80C3场效应管*热卖!!

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产品相片TO-220AB
产品目录绘图MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列CoolMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° *50 毫欧 @ 7.1A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)800V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C11A
Id 时的 Vgs(th)(*大)3.9V @ 680µA 
闸电荷(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)1600pF @ 100V
功率 - *大156W
安装类型通孔 
封装/外壳TO-220-3 
包装管件
供应商设备封装PG-TO220-3
产品目录页面1567 (CN2010-11 Interactive)
1567 (CN2010-11 PDF)
其它名称SP
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
品牌/型号

Infineon英飞凌

应用范围

放大

功率特性

大功率

频率特性

*频

*性

PNP型

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装

集电*允许电流

1(A)

集电*允许耗散功率

1(W)

营销方式

现货

产品性质

*

结构

面接触型

材料

硅Si

特征频率

1(MHz)Hz