代理*AOS(万代)场效应管MOS管AO3460

地区:广东 深圳
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制造商*件编号描述制造商FET 型开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大
AO3460MOSFET N-CH 60V .65A SOT23-3Alpha & Omega Semiconductor IncMOSFET N 通道,金属氧化物1.7 欧姆 @ 650mA, 10V60V650mA2.5V @ 250µA-27pF @ 30V1.4W











AOS产品广泛应用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电池保护(PCM/BP)等产品,应用型号参考如下:

锂电池保护应用:

SO-8: AO9926B、AO4407、AO4409、AO4419、AO4410、AO4411
SOT-23:AO3400、AO3401、AO3414、AO3402、AO3415、
DFN2*5:DFN3*3:AON3806、AON5800、AON5802、AOZ900*I;...
TSSOP-8:AO8822、AO8810、AO8814、AO8804、AO8806、AO8818、
*AOZ900*I —a single IC combining one dual N Channel MOSFET (AOS AO88xx series MOSFET) and one Battery Protect IC (Seiko S8211 series) for PCM application.
数码相机应用:

(SOT23):AO3400、AO3401、AO3402、AO3403、AO3413...
手机应用:

AO3415、AO7401、AO6?01、AO3402、AO7400、AON4701、AON4703、AO7407;
主板应用:

AOD406、AOD408、AOD412、AOD414、AOD420、AOB412、AOB416、AOB420、AO4406、AO4419、AO3402、AO3414…
LCD B/L(Inverter):AOD405、AOD408、AO4604、AO4606、AO4161、AOP605、AOP610、AOP657、AOP608、AOD604、AOD606;
MP3/PMP:AO3400、AO3401、AO3402、AO3403、AO4406、AO4408、AO4702、AO4800、AO4914、AO6?07、AO6?09、AO6702、AO9926 ...
电动车控制器应用:

AOT428、AOT430、AOT400;
VGA显卡应用:

AO3400、AO3401、AO3402、AO3403、AO4406、AO4408、AO4410、AO4800、AO4914、AO6?07、AO6?09、AO6702…
LED显示墙应用:

SO-8):AO4801、AO4803 ...
EzBuck DC/DC应用:

AOZ1010AI、AOZ1013AI、AOZ1014AI、AOZ1011AI…

 

深圳市金宁电子(香港金宁电子有限公司)成立于2002年, 坚持以“诚信经营,品质*”为立业之基!“*,*,*,求实”为创业之根本!成为客户与生产商*的桥梁。多年的市场经验与品牌*,为电子产品制造商提供优质和放心的服务。

★经营理念:公司多年来与新加坡,台湾,香港等著名电子元器件厂商与代理商成为合作伙伴,拥有货源稳定,价格合理,交货及时的优势渠道!我们将通过*和*,不断提供*客户期望的新产品和服务,坚持做行业中**的*者!竭诚与您共谋发展,欢迎来电洽谈!

★经营特性:本司提供同类产品不同品牌型号替代产品,以满足现代*电子产品精密和复杂的电源要求,在**品质和*的情况下降低您的成本,给您的产品在同行业中具有很大的成本效益与竞争优势。

★代理*品牌:AOS(美国万代), Matsuki Electric(日本松木电机), syncpower(擎力) ,MagnaChip(韩国美格纳),*童IR  VISHAY PHILIPS(NXP)ST NEC *X等知名品牌!

★经营范围:MOSFET(场效应管),TVS瞬变,肖特基,高频管,三端稳压,钽电容等!

★应用产品:电源控制/移动电源,锂电池保护,LED/液晶/显示器/数码相框,笔记本/平板电脑,航模/电动玩具,电子书,卫星导航仪等!

如需其他型号详细规格,请来电索取或


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我们以诚信经营,品质*”打造行业一级品牌*,为您提供优质和*的服务 感谢您光临本店,祝您购物愉快!

品牌/商标

AOS/美国万代

型号/规格

AO3460

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

夹断电压

65(V)

漏*电流

650(mA)

耗散功率

1400(mW)