产品详情

2011年*原装无铅深圳大量现货：IGP03N120H2

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部

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英飞凌系列*原装大量现货，欢迎咨询

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

IGP03N120H2

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

S/开关

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

20V（V）

夹断电压

1200V（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

3A（mA）

耗散功率

62.5W（mW）