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*供应 场效应管 MOS管 FDD5614

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部

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FDD120AN15AOFAIRCHILD07 TO-252
FDD5612FAIRCHILD05 TO-252
FDD5614FAIRCHILD04 TO-252
FDD5614PFAIRCHILD05 TO-252
FDD5614PFAIRCHILD04 TO-252
FDD5670FAIRCHILD05 TO-252
FDD6030FAIRCHILD05 TO-252
FDD6030LFAIRCHILD年*原装无铅华强柜台05 TO-252
FDD6035FAIRCHILD05 TO-252
FDD6296FAIRCHILD04 SOT-252
FDD6612FAIRCHILD05 TO-252
FDD6670FAIRCHILD05 TO-252
FDD6676FAIRCHILD05 TO-252
FDD6676FAIRCHILD03 TO-252
FDD6676FAIRCHILD02 TO-252
FDD6680FAIRCHILD05 TO-252
FDD6682FAIRCHILD05 TO-252
FDD6685FAIRCHILD05 TO-252
FDD6688FAIRCHILD05 TO-252
FDD6690FAIRCHILD05 TO-252
FDD6692FAIRCHILD05 TO-252
FDD6696FAIRCHILD05 TO-252
FDD7030FAIRCHILD05 TO-252
FDD7030BLFAIRCHILD05 TO-252
FDD8770FAIRCHILD05 TO-252
FDD8778FAIRCHILD05 TO-252
FDD8782FAIRCHILD05 TO-252
FDD8796FAIRCHILD05 TO-252
FDD8870FAIRCHILD07 TO-252
FDD8874FAIRCHILD05 TO-252
FDD8876FAIRCHILD05 TO-252
FDD8878FAIRCHILD05 TO-252
FDD8880FAIRCHILD05 TO-252
FDD8882FAIRCHILD05 TO-252
FDD8896FAIRCHILD06 TO-252

"
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDD5614

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

-60V（V）

夹断电压

20V（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

-15A（mA）

耗散功率

42W（mW）