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半导体三*管又称“晶体三*管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电*引线,分别叫基*B、发射*E和集电*C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
当b点电位高于e点电位*点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。在制造三*管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射*电流了。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电*电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给,从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib Ic,这就是说,在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持*的比例关系,即:β1=Ic/Ib 式中:β1--称为直流放大倍数,集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为:β= △Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。三*管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
放大
德辉
2N3904
硅(Si)
SOT-23