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场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点:
1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏*电流);
2)场效应管的输入端电流*小,因此它的输入电阻很大;
3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数;
5)场效应管的*辐射能力强;
6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
德辉
2N7002
结型(JFET)
N沟道
增强型
GEP/互补类型
CHIP/小型片状
P-FET硅P沟道