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产品属性
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onsemi FDP24N40 单个
制造商
onsemi
制造商产品编号
FDP24N40
onsemi FDP24N40 单个
包装管件
产品状态售卖
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)175 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)60 nC @ 10 V
Vgs(大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)3020 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散(大值)227W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220-3
封装/外壳TO-220-3
onsemi FDP24N40 单个
公司简介:
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FDP24N40
onsemi
TO-220-3
2022+
-55°C
150°C