STGD6M65DF2 STMicroelectronics

STGD6M65DF2   STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STGD6M65DF2

STGD6M65DF2   STMicroelectronics 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

IGBT 类型沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（大值）650 V

电流 - 集电极 (Ic)（大值）12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）2V @ 15V，6A

功率 - 大值88 W

开关能量36μJ（开），200μJ（关）

输入类型标准

栅极电荷21.2 nC

25°C 时 Td（开/关）值15ns/90ns

测试条件400V，6A，22 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)140 ns

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装DPAK 

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