阵列 Infineon BSZ15DC02KDHXTMA1

地区:广东 深圳
认证:

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阵列  Infineon  BSZ15DC02KDHXTMA1

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

BSZ15DC02KDHXTMA1

阵列  Infineon  BSZ15DC02KDHXTMA1 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N P 沟道互补型

FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源电压(Vdss20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.1A3.2A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)55 毫欧 @ 5.1A4.5V

不同 Id Vgs(th)(大值)1.4V @ 110μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)2.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)419pF @ 10V

功率 - 大值2.5W

工作温度-55°C ~ 175°CTJ

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-PowerTDFN

供应商器件封装PG-TSDSON-8-FL

阵列  Infineon  BSZ15DC02KDHXTMA1

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型号/规格

BSZ15DC02KDHXTMA1

品牌/商标

Infineon

封装

8-PowerTDFN

批号

2021+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C