晶体管 onsemi NTR4170NT1G

晶体管  onsemi   NTR4170NT1G

制造商

onsemi

制造商产品编号

NTR4170NT1G

晶体管  onsemi   NTR4170NT1G

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）55 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）4.76 nC @ 4.5 V

Vgs（大值）±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）432 pF @ 15 V

FET 功能-

功率耗散（大值）480mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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