NVMFS5C670NT1G onsemi 单个

NVMFS5C670NT1G  onsemi   单个

制造商

onsemi

制造商产品编号

NVMFS5C670NT1G

NVMFS5C670NT1G  onsemi   单个 

包装卷带（TR）

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A（Ta），71A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）7 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 53μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）14.4 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1035 pF @ 30 V

FET 功能-

功率耗散（大值）3.6W（Ta），61W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线

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