单个 IPC100N04S5L1R9ATMA1

地区:广东 深圳
认证:

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单个  IPC100N04S5L1R9ATMA1

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPC100N04S5L1R9ATMA1

 单个  IPC100N04S5L1R9ATMA1

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)1.9 毫欧 @ 50A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)2V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)81 nC @ 10 V

Vgs(大值)±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)4310 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散(大值)100WTc

工作温度-55°C ~ 175°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-TDSON-8-34

封装/外壳8-PowerTDFN

单个  IPC100N04S5L1R9ATMA1

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型号/规格

IPC100N04S5L1R9ATMA1

品牌/商标

Infineon

封装

8-PowerTDFN

批号

2021+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C