HAT2173H-EL-E Renesas 单个

HAT2173H-EL-E  Renesas  单个

制造商

Renesas Electronics America Inc

制造商产品编号

HAT2173H-EL-E

HAT2173H-EL-E  Renesas  单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）15 毫欧 @ 12.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）6V @ 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）61 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）4350 pF @ 10 V

FET 功能-

功率耗散（大值）30W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装LFPAK

封装/外壳SC-100，SOT-669

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