HAT2173H-EL-E Renesas 单个

地区:广东 深圳
认证:

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HAT2173H-EL-E  Renesas  单个

制造商

Renesas Electronics America Inc

制造商产品编号

HAT2173H-EL-E

HAT2173H-EL-E  Renesas  单个 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25ATa

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On8V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)15 毫欧 @ 12.5A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)6V @ 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)61 nC @ 10 V

Vgs(大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)4350 pF @ 10 V

FET 功能-

功率耗散(大值)30WTc

工作温度150°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装LFPAK

封装/外壳SC-100SOT-669

HAT2173H-EL-E  Renesas  单个

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型号/规格

HAT2173H-EL-E

品牌/商标

Renesas

封装

SC-100

批号

2021+

最大工作温度

150°C