IPT015N10N5ATMA1 Infineon 单个

IPT015N10N5ATMA1  Infineon 单个

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1  Infineon 单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®零件状态

在售FET 类型

N 通道技术

MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

300A（Tc）驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）

6V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）

1.5 毫欧 @ 150A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（大值）

3.8V @ 250μAVgs（大值）

±20VFET 功能-

功率耗散（大值）375W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-HSOF-8-1

封装/外壳8-PowerSFN

漏源电压（Vdss）100 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）211 nC @ 10 V

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