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产品属性
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晶体管 IXYS IXTQ88N30P
制造商
IXYS
制造商产品编号
IXTQ88N30P
晶体管 IXYS IXTQ88N30P
包装管件
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)88A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)40 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)5V @ 250μA
Vgs(大值)±20V
FET 功能-
功率耗散(大值)600W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3P
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
漏源电压(Vdss)300 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)6300 pF @ 25 V
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IXTQ88N30P
IXYS
TO-3P-3
2020+
-55°C
150°C