晶体管 IXYS IXTQ88N30P

地区:广东 深圳
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晶体管  IXYS  IXTQ88N30P

制造商

IXYS

制造商产品编号

IXTQ88N30P

晶体管  IXYS  IXTQ88N30P 

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)88ATc

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)40 毫欧 @ 44A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)5V @ 250μA

Vgs(大值)±20V

FET 功能-

功率耗散(大值)600WTc

工作温度-55°C ~ 150°CTJ

安装类型通孔

供应商器件封装TO-3P

封装/外壳TO-3P-3SC-65-3

漏源电压(Vdss300 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)180 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)6300 pF @ 25 V

晶体管  IXYS  IXTQ88N30P

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型号/规格

IXTQ88N30P

品牌/商标

IXYS

封装

TO-3P-3

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C