单个 Vishay SISS73DN-T1-GE3

单个  Vishay   SISS73DN-T1-GE3 

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SISS73DN-T1-GE3

单个  Vishay   SISS73DN-T1-GE3 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.4A（Ta），16.2A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）125 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 250μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）5.1W (Ta)，65.8W (Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳PowerPAK® 1212-8S

漏源电压（Vdss）150 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）22 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）719 pF @ 75 V

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