单个 Toshiba TK39A60W,S4VX

单个  Toshiba   TK39A60W,S4VX

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商产品编号

TK39A60W,S4VX

单个  Toshiba   TK39A60W,S4VX 

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)38.8A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）65 毫欧 @ 19.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3.7V @ 1.9mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）110 nC @ 10 V

Vgs（大值）±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）4100 pF @ 300 V

FET 功能-

功率耗散（大值）50W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220SIS

封装/外壳TO-220-3 整包

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