NDB6030PL ON Semiconductor 单个

NDB6030PL  ON Semiconductor 单个

制造商

ON Semiconductor

制造商产品编号

NDB6030PL

NDB6030PL  ON Semiconductor 单个 

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）25 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2V @ 250μA

Vgs（大值）±16V

FET 功能-

功率耗散（大值）75W（Tc）

工作温度-65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

漏源电压（Vdss）30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）36nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1570pF @ 15

NDB6030PL  ON Semiconductor 单个

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